память оперативная samsung ddr4 32gb rdimm 3200 1 2v m393a4k40eb3 cweby
Память оперативная Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V (M393A4K40EB3-CWEBY)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc нет Количество контактов 288
13170 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V (M393A4K40EB3-CWEGY)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Количество контактов 288
13170 Руб.
Samsung 32 DDR4 3200 M393A4K40EB3-CWEBY
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
450 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V (M393A4K40DB3-CWE)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288
13170 Руб.
Оперативная память Micron 32GB DDR4-3200 2RX4 ECC REG RDIMM (MTA36ASF4G72PZ-3G2R)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Тактовая частота 3200 Мгц Пропускная способность 25600 Мб/с Количество контактов 288 Cas Latency (Cl) 22 Напряжение питания 1.2 В Подсветка нет Ean 6495289258244
11940 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 32GB RDIMM 3200 1.2V (M393A4G43AB3-CWE)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество чипов каждого модуля 18 Количество контактов 288
13230 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 M393A4K40EB3-CWE 32Gb DIMM ECC Reg PC4-25600 CL22 3200MHz
Назначение модуля для сервера Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Dimm Объем одного модуля 32 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 32 Гб Тактовая частота 3200 Мгц Пропускная способность 25600 Мб/с Буферизованная (Регистровая) registered Количество контактов 288 Напряжение питания 1.2 В Радиатор нет Подсветка нет Корея Ean 0
12010 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 128GB RDIMM 3200 1.2V 4Rx4 (M393AAG40M32-CAE)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 128 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288 Ean 2000338749853
87010 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 64GB RDIMM 3200 1.2V (M393A8G40AB2-CWE)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Rdimm Объем одного модуля 64 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 64 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288
23810 Руб.
Samsung 32GB DDR4 PC4-25600 M393A4K40EB3-CWE
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
455 Руб.
Память оперативная Samsung DDR4 16GB RDIMM 3200 1.2V SR (M393A2K40DB3-CWE)
мес Тип памяти Ddr 4 Форм-фактор Dimm Объем одного модуля 16 Гб Количество модулей в комплекте 1 Суммарный объем 16 Гб Пропускная способность 25600 Мб/с Поддержка Ecc да Буферизованная (Регистровая) да Количество контактов 288
10640 Руб.
Samsung 16 DDR4 3200 M393A2K43EB3-CWECO
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
323 Руб.
Samsung 16 DDR4 3200 M391A2G43BB2-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
300 Руб.
Samsung 64 DDR4 3200 M386A8K40DM2-CWE
64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1050 Руб.
Samsung 16 DDR4 3200 M471A2K43EB1-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
191 Руб.
Samsung 16 DDR4 3200 M393A2K43FB3-CWE
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
369 Руб.