8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
81 Руб.
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
127 Руб.
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
77 Руб.
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
122 Руб.
Тип памяти - DDR4, Форм-фактор - SODIMM 260-контактный, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ/с, Объем - 1 модуль 16 ГБ, Поддержка ECC - нет, Поддержка XMP - нет
125 Руб.
Тип памяти - DDR4, Форм-фактор - SODIMM 260-контактный, Тактовая частота - 2666 МГц, Пропускная способность - 21300 МБ/с, Объем - 1 модуль 8 ГБ, Поддержка ECC - нет, Поддержка XMP - нет
71 Руб.
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
56 Руб.
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
52 Руб.
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
237 Руб.
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В
240 Руб.
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
326 Руб.
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
140 Руб.
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
118 Руб.
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
99 Руб.
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
133 Руб.
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В
140 Руб.
© robinzon-tur.ru 2013-2023. All Rights Reserved